背景资料：李天培、陈浩林教授简介

（1）李天培

     李天培，美国光电科学家，1957年台湾国立大学毕业，获得理学学士学位，1963年斯坦福大学毕业，获得博士学位。1963-1984年在美国贝尔实验室工作, 1984-1997年在贝尔通信研究实验室工作。1997年至1999年期间, 李博士任电气通信系统部门的项目负责人,是国家科学研究的奠基者。2000年至2003年，任普林斯顿大学纳米技术实验室和普林斯顿新泽西州亚诺河委员会的技术顾问。李博士现在是IEEE, OSA学会会士,  中美光学学会会士，贝尔实验室科学技术奖杰出成员的授予者，并获得贝尔实验室最高荣誉奖，中国科学院工程学成就奖，曾两度获得美国工程研发的百佳称号。1963年至1984年，他与贝尔实验室成员共同致力于光纤通信的微波变容二极管，高功率发光二极管，半导体光激射器，高速光电探测器以及雪崩光电二极管的首创研究。作为光子设备研究的项目负责人和贝尔实验室的首席科学家，从1984年到1997年，他的团队开创了高速DFB 光激射器的研究领域，应变量子阱激光器和集成DFB激光阵列的研究工作。他是由美国国防部高级研究计划署赞助的多波长光网络(MONET)项目的核心领导者。李教授为甘肃省国际太阳能利用技术中心技术委员会特聘外籍专家。

（2）陈浩林

     陈浩林，美国光电科学家，1962年获台湾东海大学化学专业理学学士学位，1967年获印第安纳大学化学专业博士学位。1992年至1997年任Technology, AVLIS Program, LLNL副经理，主要在浓缩铀开发和其他工业应用领域从事激光、电子束、材料加工研究,提供技术服务，并将浓缩铀技术和电子束技术用于工业中。1997年至1998,是美国UC 校园实验室合作计划审查员，在UC 校园实验室合作计划中,研发了大规模高功率2D-VCSEL激光阵列，专注于光泵激及其通信应用.并且设计、制作，测试了单块激光器的2D-VCSEL的激光阵列。1998年2004年，在劳伦斯利弗莫尔国家实验室，激光科学与技术项目副主管。2005年至2008年，在加州伯克利大学，任光电子纳米半导体技术中心执行理事。陈浩林教授是美国高级研究计划署光电子研究计划研发高级纳米光电子技术材料和设备（军用及民用），提供技术支持的6所大学的主要10位教授之一。研究跨度从量子原子团，纳米技术，毫微管到垂直腔表面发射激光器和慢速光器件。陈博士在激光学，激光生物学，电子光束学，原子能量转换学等领域的科学杂志上发表了66篇原创论文并获得了很多专利。曾获得研发技术“百佳称号”、联邦实验室财团奖、激光发射系统研发“百佳称号”、光激射器精度研究与发展百佳称号、杰出技术出版物的技术通信学会优秀奖。陈教授为甘肃省国际太阳能利用技术中心技术委员会特聘外籍专家。